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CLARiiON写缓存的水印

CLARiiON写缓存的水印

CX有两个写缓存水印值: HIGH,LOW
三种处理方法:
1、“闲时喝粥 - 不要太闲噢”:当某LUN在连续2秒I/O的访问数低于5/秒时,且缓存在高水印以下,刷新缓存数据到磁盘;
2、高水印刷新 - 防止堤溃:当超过高水印时,开始刷新,直到达到低水印为止;
3、“强制执行-泻洪”:当缓存满时,不接受新的I/O,刷新数据到磁盘,I/O受到影响。
所以根据应用环境摸索一对合适的高低水印很重要。

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可以动态地调整缓存的大小吗?

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不可以动态调整, 要把CACHE先DISABLE掉, 调整完, 再ENABLE.

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引用:
原帖由 xie_dennis 于 2005-12-17 09:01 发表
不可以动态调整, 要把CACHE先DISABLE掉, 调整完, 再ENABLE.
1.EMC可调整Cache,HDS AMS现在可支持Cache partition,这两者有很大的区别,不知dennis手头是否这块的详细资料?

2.EMC CX series好象不支持lun Segment size tunning,不知CX下一个版本是否有针对这块完善的计划?

多谢

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引用:
原帖由 donald 于 2005-12-17 10:46 发表


1.EMC可调整Cache,HDS AMS现在可支持Cache partition,这两者有很大的区别,不知dennis手头是否这块的详细资料?

2.EMC CX series好象不支持lun Segment size tunning,不知CX下一个版本是否有针对这块完善 ...
不好意思, 对HDS AMS没有很深的了解, 哪位大虾知道?
能不能详细说说lun Segment size tunning是怎么回事?各厂家的术语和实现方法不一样.

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